买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司申请的专利一种沟槽型IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510562738.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种沟槽型IGBT器件及其制造方法是由张伟;田甜;刘继平;廖光朝设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽型IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种沟槽型IGBT器件及其制造方法，该方法包括：衬底，以及位于衬底上的P‑基区、栅极区、发射极区；P‑基区位于栅极区之间，且P‑基区与栅极区相接触；发射极区包括：N+有源区、短路区、闩锁区和发射极金属区；N+有源区位于P‑基区上，且位于栅极区之间，以及位于栅极区和短路区之间；短路区间隔分布在P‑基区上，位于闩锁区之上，并与闩锁区相接触；闩锁区位于P‑基区中，对应位于短路区之间的间隔区域之下；发射极金属区填充在间隔区域中，覆盖N+有源区、短路区和栅极区。该器件结构有效降低IGBT器件的饱和电流，大大提高IGBT的抗短路能力，同时提高IGBT器件的抗闩锁能力。

本发明授权一种沟槽型IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型IGBT器件，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底上的P-基区、栅极区、发射极区； 所述P-基区位于所述栅极区之间，且所述P-基区与所述栅极区相接触； 所述发射极区包括：N+有源区、短路区、闩锁区和发射极金属区； 所述N+有源区位于所述P-基区上，且位于所述栅极区之间，以及位于所述栅极区和短路区之间； 所述短路区间隔分布在所述P-基区上，且位于所述栅极区之间，以及位于所述闩锁区之上，并与所述闩锁区相接触； 所述闩锁区位于所述P-基区中，且位于所述栅极区之间，以及对应位于所述短路区之间的间隔区域之下；所述闩锁区的底部靠近所述P-基区的底部； 所述发射极金属区填充在所述间隔区域中，并覆盖所述N+有源区、所述短路区和所述栅极区； 所述短路区包括：短路沟槽和短路多晶硅；所述短路多晶硅填充在所述短路沟槽中，以使所述短路区形成镇流电阻，提高IGBT器件的抗短路能力； 所述闩锁区包括：闩锁沟槽和闩锁多晶硅，所述闩锁多晶硅填充在所述闩锁沟槽中，以使所述闩锁区作为多晶硅电极，提高IGBT器件的抗闩锁能力。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司，其通讯地址为：518122 广东省深圳市坪山区坑梓街道秀新社区秀盛一路7号C栋405；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。