上海博息电子科技有限公司陈冰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海博息电子科技有限公司申请的专利一种石墨烯导热膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120157115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510617858.0，技术领域涉及：C01B32/184；该发明授权一种石墨烯导热膜及其制备方法是由陈冰;李建新设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种石墨烯导热膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种石墨烯导热膜及其制备方法，本发明涉及改性石墨烯技术领域。该方法通过以下步骤实现：（1）原料预处理：采用机械剪切法制备亚微米级氧化石墨烯分散液，并负载铂量子点；（2）动态流场成膜：通过涂布过程施加动态压力场，形成高取向度的湿膜；（3）梯度协同还原：结合化学预还原、脉冲焦耳还原和等离子体处理，显著降低氧含量和缺陷密度；（4）三维桥接强化：利用气溶胶辅助生长氮化硼纳米片桥接结构，构建垂直导热通道。所制备的石墨烯导热膜具有超高热导率、超薄膜厚、高柔性等优异性能，工艺稳定性高且能耗低，适用于5G通信、柔性电子、高功率器件等领域的热管理需求。
本发明授权一种石墨烯导热膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种石墨烯导热膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤组合：（1）原料预处理：采用机械剪切法制备横向尺寸100-300nm的亚微米级氧化石墨烯分散液，同步负载粒径5-8nm的铂量子点；（2）动态流场成膜：在剪切速率500-800s-1的涂布过程中施加0.5-2MPa动态压力场，使片层取向度≥93%，形成厚度20±2μm的湿膜；（3）梯度协同还原：化学预还原：采用抗坏血酸水合肼复合还原剂处理，使氧含量从32%降至8-12%；脉冲焦耳还原：施加80-100Acm²脉冲电流持续600-800s，缺陷密度降至3.5×1010cm-2；等离子体处理：ArH2混合气体等离子体处理30min，消除残余悬键；三维桥接强化：通过气溶胶辅助CVD法在层间生长氮化硼纳米片桥接结构，形成垂直导热通道。
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