苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司王俊获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请的专利半导体发光结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120127504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510615963.0，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权半导体发光结构及其制备方法是由王俊;刘武灵;谭少阳;邵烨;肖垚;李泉灵;闵大勇设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体发光结构及其制备方法，其中半导体发光结构包括：衬底层；设置在衬底层一侧的有源层；设置在有源层背离衬底层一侧的折射率调制层；折射率调制层为亚波长光栅，亚波长光栅的周期相同，亚波长光栅的占空比不完全相同，亚波长光栅的高度与折射率调制层的厚度相等，亚波长光栅的凹槽内填充有第一材料，第一材料的折射率与亚波长光栅的材料的折射率不同。本申请公开的半导体发光结构及其制备方法，通过设置亚波长光栅结构的折射率调制层，通过对折射率调制层内亚波长光栅的占空比的调节，实现折射率的任意调整，减少温度以及载流子引起的折射率的变化，有效减少热透镜效应，提高半导体发光结构的性能，优化光束质量。
本发明授权半导体发光结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.半导体发光结构，其特征在于，包括： 衬底层； 设置在所述衬底层一侧的有源层； 设置在所述有源层背离所述衬底层一侧的折射率调制层； 所述折射率调制层为亚波长光栅，所述亚波长光栅的周期相同，所述亚波长光栅的占空比不完全相同，所述亚波长光栅的高度与所述折射率调制层的厚度相等，所述亚波长光栅的凹槽内填充有第一材料，所述第一材料的折射率与所述亚波长光栅的材料的折射率不同； 所述折射率调制层设置在P型波导层内，或所述折射率调制层设置在P型波导层与P型限制层之间，或所述折射率调制层设置在所述P型限制层内； 当所述折射率调制层设置在P型波导层与P型限制层之间时，所述亚波长光栅的材料与P型波导层的材料相同，所述第一材料与P型限制层的材料相同； 所述折射率调制层的厚度小于100nm。
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