福建金石能源有限公司曾清华获国家专利权
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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种具有特定发射极的背接触电池及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152391B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510630819.4，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权一种具有特定发射极的背接触电池及其制备方法和应用是由曾清华;张宏;王玉华;汤梦华;刘国梁;叶燕彬;何臻设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有特定发射极的背接触电池及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定发射极的背接触电池及其制备方法和应用，其中第一半导体层包含第一钝化层和第一掺杂硅层，第二半导体层包含在背面依次设置的第一本征硅层、掺杂硅介质层和第二掺杂非晶硅层，掺杂硅介质层与第二掺杂非晶硅层的掺杂类型相同且掺杂类型为n型或p型，掺杂硅介质层为对应掺杂类型的碳化硅、氧化硅或碳氧化硅；掺杂硅介质层的厚度为1‑3nm，掺杂硅介质层与第一本征硅层、第二掺杂非晶硅层的厚度之比为1：（2‑5）：（3‑7）。本发明有利于促进光生载流子的快速分离，减少复合，提升电池的开路电压，从而提升电池效率及其稳定性，有效降低在湿热等严苛环境下的电池效率衰减。
本发明授权一种具有特定发射极的背接触电池及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种具有特定发射极的背接触电池，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包含第一钝化层和第一掺杂硅层，其特征在于，第二半导体层包含在背面依次设置的第一本征硅层、掺杂硅介质层和第二掺杂非晶硅层，掺杂硅介质层与第二掺杂非晶硅层的掺杂类型相同且掺杂类型为n型或p型，掺杂硅介质层为对应掺杂类型的碳化硅、氧化硅或碳氧化硅；掺杂硅介质层的厚度为1-3nm，掺杂硅介质层与第一本征硅层、第二掺杂非晶硅层的厚度之比为1：（2-5）：（3-7），掺杂硅介质层的对应掺杂元素为硼或磷且其对应掺杂元素的掺杂浓度在沿其远离硅片背面的方向上呈递增分布，第二掺杂非晶硅层的氢元素含量在沿其远离硅片背面的方向上呈递减分布。
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