买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于二硫化钼的晶体管PUF制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152382B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510632914.8，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权一种基于二硫化钼的晶体管PUF制备方法是由胡广艳;黄仰博;欧钢;孙鹏跃;楼生强;邓丁;张书政;刘建;龚碧;于美婷设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于二硫化钼的晶体管PUF制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于二硫化钼的晶体管PUF制备方法，包括如下步骤：对氧化硅衬底表面进行预处理，清除其表面的自然有机物及其他杂质；基于液液界面自组装，使二硫化钼墨水在氧化硅衬底上形成连续且不均匀的二硫化钼薄膜；在二硫化钼薄膜表面进行图案化处理，得到源漏电极的图案；在覆盖二硫化钼薄膜的氧化硅衬底上沉积钛薄膜和钯薄膜，完成源漏电极的图案化，得到二硫化钼晶体管PUF阵列。本发明应用于信息安全、芯片加密领域，具有良好的抗攻击性和高度的唯一性，能够有效提升电子设备的安全防护性能。

本发明授权一种基于二硫化钼的晶体管PUF制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二硫化钼的晶体管PUF制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1，对氧化硅衬底表面进行预处理，清除其表面的自然有机物及其他杂质； 步骤2，基于液液界面自组装，使二硫化钼墨水在氧化硅衬底上形成连续且不均匀的二硫化钼薄膜，具体包括： 步骤201，将氧化硅衬底置于定制的托举架后，将托举架放入玻璃培养皿，随后加入去离子水和正己烷，待玻璃培养皿中出现明显的分层界面时，第一次采用移液管在玻璃培养皿缓慢连续滴加二硫化钼墨水，待形成稳定薄膜后，提取托举架使二硫化钼薄膜平铺在氧化硅衬底上，将氧化硅衬底放置于加热台上进行加热处理，确保液体完全蒸发，从而在样品表面形成第一层二硫化钼薄膜，第一次在玻璃培养皿滴加二硫化钼墨水时，滴加在玻璃培养皿的中间位置； 步骤202，将步骤201得到的样品再次置于托举架后，将托举架放入玻璃培养皿，随后加入去离子水和正己烷，待玻璃培养皿中出现明显的分层界面时，第二次采用移液管在玻璃培养皿缓慢连续滴加二硫化钼墨水，待形成稳定薄膜后，提取托举架使二硫化钼薄膜平铺在样品上，将样品放置于加热台上进行加热处理，确保液体完全蒸发，从而在样品表面形成第二层二硫化钼薄膜，第二次在玻璃培养皿滴加二硫化钼墨水时，滴加在玻璃培养皿的左上角位置； 步骤203，将步骤202得到的样品再次置于托举架后，将托举架放入玻璃培养皿，随后加入去离子水和正己烷，待玻璃培养皿中出现明显的分层界面时，第三次采用移液管在玻璃培养皿缓慢连续滴加二硫化钼墨水，待形成稳定薄膜后，提取托举架使二硫化钼薄膜平铺在样品上，将样品放置于加热台上进行加热处理，确保液体完全蒸发，从而在样品表面形成第三层二硫化钼薄膜，第三次在玻璃培养皿滴加二硫化钼墨水时，滴加在玻璃培养皿的右下角位置； 步骤3，在二硫化钼薄膜表面进行图案化处理，得到源漏电极的图案； 步骤4，在覆盖二硫化钼薄膜的氧化硅衬底上沉积钛薄膜和钯薄膜，完成源漏电极的图案化，得到二硫化钼晶体管PUF阵列。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军国防科技大学，其通讯地址为：410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。