杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)童忠瑱获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)申请的专利碳基MRAM存储单元、存算阵列及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120148575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510630780.6，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权碳基MRAM存储单元、存算阵列及其工作方法是由童忠瑱;张科;林晓阳设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳基MRAM存储单元、存算阵列及其工作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳基MRAM存储单元、存算阵列及其工作方法，碳基MRAM存储单元包括：第一碳基晶体管、第二碳基晶体管、第三碳基晶体管和磁隧道结；第一碳基晶体管的栅极连接至WWL，第一端连接至WBL，第二端连接至磁隧道结的第一端；第二碳基晶体管的栅极连接至WWR，第一端连接至WBLB，第二端连接至磁隧道结的T1端；第三碳基晶体管的栅极连接至RWL，第一端连接至磁隧道结的第三端，第二端连接至RBL；磁隧道结的第二端连接至源线SL。本申请的两个输入均被映射为字线和位线电压，因此对存储单元的TMR值没有要求。另外本申请且运算结果回存至单元内，简化了电路设计。
本发明授权碳基MRAM存储单元、存算阵列及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳基MRAM存储单元，其特征在于，所述碳基MRAM存储单元包括：第一碳基晶体管、第二碳基晶体管、第三碳基晶体管和磁隧道结； 所述第一碳基晶体管的栅极连接至左侧写字线，第一端连接至写位线，第二端连接至所述磁隧道结的第一端； 所述第二碳基晶体管的栅极连接至右侧写字线，第一端连接至反相写位线，第二端连接至所述磁隧道结的第一端； 所述第三碳基晶体管的栅极连接至读字线，第一端连接至所述磁隧道结的第三端，第二端连接至读位线； 所述磁隧道结的第二端连接至源线，且所述磁隧道结的第一端和第二端位于磁隧道结的底电极，所述磁隧道结的第三端位于磁隧道结的顶电极； 所述碳基MRAM存储单元在进行布尔逻辑运算时，所述布尔逻辑运算中的第一逻辑运算数被映射为所述写位线和所述反相写位线的电压组合，第二逻辑运算数被映射为所述左侧写字线和所述右侧写字线的电压组合，所述布尔逻辑运算中的运算结果存储在所述磁隧道结的阻态中。
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