西安晟光硅研半导体科技有限公司杨森获国家专利权
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龙图腾网获悉西安晟光硅研半导体科技有限公司申请的专利一种大尺寸氮化镓晶体的切片方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120133769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510631108.9，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权一种大尺寸氮化镓晶体的切片方法是由杨森;张国超;张聪;郭辉;龚德珍;李高明设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大尺寸氮化镓晶体的切片方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大尺寸氮化镓晶体的切片方法，涉及微射流激光加工技术领域，该方法包括：将待切割氮化镓晶体固定在旋转工装上，安装第一喷嘴校准微射流激光的垂直度并调整微射流激光与旋转工装的角度；设置第一切割参数，采用第一喷嘴对待切割氮化镓晶体进行扩缝切割，形成扩缝切割槽；更换第二喷嘴并校准微射流激光的垂直度，设置第二切割参数，采用第二喷嘴沿着扩缝切割槽对待切割氮化镓晶体进行切割，完成晶体切片；其中，第一喷嘴的直径小于第二喷嘴的直径，第二喷嘴的直径不超过扩缝切割槽的宽度。本发明方法保证了氮化镓晶体切片后的表面质量，同时避免了切片过程中崩边的问题，实现了英寸级氮化镓晶体的高质量切割。
本发明授权一种大尺寸氮化镓晶体的切片方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸氮化镓晶体的切片方法，其特征在于，包括： 步骤1：将待切割氮化镓晶体固定在旋转工装上，安装第一喷嘴校准微射流激光的垂直度并调整所述微射流激光与所述旋转工装的角度； 步骤2：设置第一切割参数，采用所述第一喷嘴对所述待切割氮化镓晶体进行扩缝切割，形成扩缝切割槽； 步骤3：更换第二喷嘴并校准所述微射流激光的垂直度，设置第二切割参数，采用所述第二喷嘴沿着所述扩缝切割槽对所述待切割氮化镓晶体进行切割，完成晶体切片； 其中，所述第一喷嘴的直径小于所述第二喷嘴的直径，所述第二喷嘴的直径不超过所述扩缝切割槽的宽度，所述第二喷嘴的直径不小于100μm，所述第一切割参数与所述第二切割参数中喷嘴水压不大于150bar。
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