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龙图腾网获悉申集半导体科技(徐州)有限公司申请的专利基座和半导体加工设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120184080B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510644659.9，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权基座和半导体加工设备是由徐春阳;张志明;邢志刚;巩前程;陈凯辉设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基座和半导体加工设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种基座和半导体加工设备。基座包括基座主体、凹穴、驱动气体输送通道、导流槽、集气槽、排气口和排气管道；导流槽设置于凹穴的底面，导流槽包括靠近凹穴中心的至少一近端部和朝向凹穴边缘延伸的至少一远端部；集气槽设置于凹穴的底面，与远端部对应设置，以阻挡自远端部外溢的至少部分所述驱动气体；排气口设置于凹穴的底面，与远端部对应设置，位于集气槽的外边缘所围区域内；排气管道设于基座主体，位于凹穴下方，一端与排气口相通。本申请能够不影响气垫对基片的旋转驱动作用的同时，减少或避免因构成气垫的驱动气体从凹穴和基片之间的间隙外逸对基片上方工艺反应区域的不利影响，有利于提高基片上所成膜的质量和均匀性。

本发明授权基座和半导体加工设备在权利要求书中公布了：1.一种基座，其特征在于，包括： 基座主体； 凹穴，设于所述基座主体的承载面以用于承载基片； 驱动气体输送通道，设于所述基座主体； 导流槽，设置于所述凹穴的底面，所述导流槽包括靠近所述凹穴中心的至少一近端部和朝向所述凹穴边缘延伸的至少一远端部，所述近端部与所述驱动气体输送通道相通，使所述驱动气体输送通道所提供的驱动气体沿所述导流槽的延伸方向朝向对应的所述远端部流动，以带动所述基片旋转； 集气槽，设置于所述凹穴的底面，与所述远端部对应设置以阻挡自所述远端部外溢的至少部分所述驱动气体； 排气口，设置于所述凹穴的底面，与所述远端部对应设置，位于所述集气槽的外边缘所围区域内，所述集气槽的外边缘为远离所述远端部的一侧边缘； 排气管道，设于所述基座主体，位于所述凹穴下方，一端与所述排气口相通； 所述导流槽还包括位于所述近端部和对应的所述远端部之间的导流段部，所述导流槽自所述集气槽的两端部之间的区域延伸入所述集气槽所包围的区域，使所述集气槽的一部分位于所述远端部和沿径向与所述远端部相邻的导流段部之间，一部分位于所述远端部和所述凹穴的底面边缘之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人申集半导体科技(徐州)有限公司，其通讯地址为：221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河路以北华山路以西半导体材料和设备产业园C2号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。