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龙图腾网获悉西北师范大学申请的专利一种极紫外光刻光源的高效复合薄膜靶材及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120174310B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510652886.6，技术领域涉及：C23C14/28；该发明授权一种极紫外光刻光源的高效复合薄膜靶材及其制备方法是由敏琦;刘兴邦;董晨钟设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种极紫外光刻光源的高效复合薄膜靶材及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及等离子体技术领域，具体提供一种极紫外光刻光源的高效复合薄膜靶材及其制备方法，利用激光薄膜沉积技术，在基底C靶材表面沉积Sn薄膜，制备得到C‑Sn薄膜靶材；采用等离子体光谱测量技术收集C‑Sn薄膜靶材在激光照射下产生的等离子体极紫外发射光谱，得到第一效率计算值，并优化脉冲激光沉积参数，确定Sn薄膜的最优厚度；在优化后的C‑Sn薄膜靶材表面再次采用激光薄膜沉积技术沉积C薄膜，制备得到C‑Sn‑C复合薄膜靶材；继续收集C‑Sn‑C复合薄膜靶材在激光照射下的等离子体发射光谱，得到第二效率计算值，并优化C薄膜厚度。本发明具有制备工艺简便、制备成本低、极紫外光转换效率高且输出稳定的优点。

本发明授权一种极紫外光刻光源的高效复合薄膜靶材及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种极紫外光刻光源的高效复合薄膜靶材的制备方法，其特征在于，包括： 利用脉冲激光沉积技术在基底C靶材上沉积Sn薄膜，得到C-Sn薄膜靶材； 利用等离子体光谱测量技术收集所述C-Sn薄膜靶材在激光照射下产生的等离子体极紫外发射光谱，并根据所述等离子体光谱计算极紫外光转换效率，得到第一效率计算值； 根据所述第一效率计算值优化脉冲激光沉积的参数，调整Sn薄膜的厚度，直至优化后的C-Sn薄膜靶材对应的极紫外光转换效率满足预定要求； 利用脉冲激光沉积技术在所述C-Sn薄膜靶材上继续沉积C薄膜，得到“三明治”型C-Sn-C复合薄膜靶材； 利用等离子体光谱测量技术收集所述C-Sn-C复合薄膜靶材在激光照射下产生的等离子体极紫外发射光谱，并根据所述等离子体发射光谱计算极紫外光转换效率，得到第二效率计算值； 根据所述第二效率计算值进一步优化脉冲激光沉积的参数，调整最上层C薄膜的厚度，直至优化后的C-Sn-C复合薄膜靶材对应的极紫外光转换效率满足预定要求。

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