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龙图腾网获悉西安智多晶微电子有限公司申请的专利一种FPGA片上非易失性存储器的供电电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120199291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510677010.7，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权一种FPGA片上非易失性存储器的供电电路是由韩建国;贾弘翊;韦嶔设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种FPGA片上非易失性存储器的供电电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种FPGA片上非易失性存储器的供电电路，属于电源管理技术领域，供电电路中低压差线性稳压器用于根据参考电压和反馈电压输出第一供电电压；参考电压基于与绝对温度成正比的第一电压以及与绝对温度成反比的第二电压相加得到；第一电压和第二电压均基于带隙基准电路产生的电流Iptat生成；电平转换电路用于接收外部信号并转换其电压域，输出使能信号；反相器组用于整形使能信号并对其进行反向操作，得到反向使能信号；电源开关用于在反向使能信号的控制下输出或不输出第二供电电压，第二供电电压是基于第一供电电压生成的，从而提供了一种结构简单、功耗小的供电电路。

本发明授权一种FPGA片上非易失性存储器的供电电路在权利要求书中公布了：1.一种FPGA片上非易失性存储器的供电电路，其特征在于，所述供电电路包括低压差线性稳压器、电平转换电路、反相器组和电源开关； 所述低压差线性稳压器，用于根据参考电压和反馈电压输出第一供电电压；所述参考电压基于与绝对温度成正比的第一电压以及与绝对温度成反比的第二电压相加得到；所述第一电压和所述第二电压均基于电流Iptat生成；所述电流Iptat由带隙基准电路产生； 所述电平转换电路，用于接收外部信号，并转换所述外部信号的电压域，输出使能信号； 所述反相器组，用于整形所述使能信号并对整形后的使能信号进行反向操作，得到反向使能信号； 所述电源开关，用于在所述反向使能信号的控制下输出或不输出第二供电电压，所述第二供电电压是基于所述第一供电电压生成的； 所述低压差线性稳压器包括电流镜、第一电阻、PNP、单级放大器、沟槽型PMOS、第一反馈电阻和第二反馈电阻； 所述电流镜的第一端输入所述电流Iptat，所述电流镜的第二端与所述电流镜的第三端相连并输入FPGA的VCCEXT，所述电流镜的第四端连接所述第一电阻的第一端，所述PNP的基极与所述PNP的集电极相连且接地，所述PNP的发射极连接所述第一电阻的第二端，所述第一电阻的第一端连接所述单级放大器的负输入端，所述单级放大器的正输入端连接所述第二反馈电阻的第一端，所述第二反馈电阻的第二端连接所述PNP的集电极，所述第一反馈电阻的第二端连接所述单级放大器的正输入端，所述第一反馈电阻的第一端连接所述沟槽型PMOS的漏极，所述沟槽型PMOS的源极连接所述电流镜的第三端，所述沟槽型PMOS的栅极连接所述单级放大器的输出端，所述沟槽型PMOS的漏极输出所述第一供电电压。

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