上海邦芯半导体科技有限公司王士京获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种半导体结构处理方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120221499B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510685627.3，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体结构处理方法及半导体结构是由王士京;梁洁;王兆祥;胥沛雯;李俭;张名喻;沈康设计研发完成，并于2025-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构处理方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构处理方法及半导体结构，处理方法包括：提供具有高深宽比刻蚀结构的衬底，高深宽比刻蚀结构的侧壁具有粗糙的表面形貌；使用第一中性粒子，对侧壁的表面进行第一处理，以在侧壁的表面上生成氧化物层；使用第二中性粒子，对侧壁的表面进行第二处理，以去除氧化物层，使侧壁表面的粗糙度降低；使用第三中性粒子，对侧壁的表面进行第三处理，以对侧壁表面存在的晶格损伤进行修复。本申请使用亚稳态粒子激发出不同的中性粒子，对侧壁的粗糙表面进行相应处理，可以使处理程度得到精细控制，实现更加低的损伤，并且均匀性更可控，使得处理后的侧壁表面更加平滑，从而提高了器件性能。
本发明授权一种半导体结构处理方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构处理方法，其特征在于，包括： 提供具有高深宽比刻蚀结构的衬底，所述高深宽比刻蚀结构的侧壁具有粗糙的表面形貌； 使用第一中性粒子，对所述侧壁的表面进行第一处理，以在所述侧壁的表面上生成氧化物层； 使用第二中性粒子，对所述侧壁的表面进行第二处理，以去除所述氧化物层，使所述侧壁表面的粗糙度降低； 使用第三中性粒子，对所述侧壁的表面进行第三处理，以对所述侧壁表面存在的晶格损伤进行修复； 其中，所述第一中性粒子、所述第二中性粒子和所述第三中性粒子通过使用亚稳态粒子对第一反应性气体、第二反应性气体和第三反应性气体分别进行激发而得到，所述亚稳态粒子通过对第一非反应性气体进行激发所形成的第一等离子体得到。
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