中国科学院物理研究所贾海强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利氮化物半导体材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111933513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910392871.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权氮化物半导体材料的制备方法是由贾海强;唐先胜;杜春花;陈弘;江洋;王文新设计研发完成，并于2019-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物半导体材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种制备氮化物半导体材料的方法，包括如下步骤：1在衬底的一表面上形成高吸收层；2在所述高吸收层上或在与所述高吸收层相对的衬底的另一表面上，借助于微波加热，沉积氮化物半导体材料；所述高吸收层由介电损耗因数不低于0.01的材料形成。通过本发明的方法，能够实现对氮化物半导体材料的均匀热传导。同时，本发明的方法能量利用效率更高。在本发明的方法中，能量集中被所需加热的材料吸收，不会加热真空沉积设备的腔体，有利于延长设备的保养和使用。
本发明授权氮化物半导体材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制备氮化物半导体材料的方法，包括如下步骤： （1）在衬底的一表面上形成高吸收层； （2）在所述高吸收层上或在与所述高吸收层相对的衬底的另一表面上，借助于微波加热，沉积氮化物半导体材料； 所述高吸收层由介电损耗因数不低于0.01的材料形成； 所述高吸收层由GaN和或TiO2形成； 所述高吸收层的厚度为50nm-2μm。
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