盛合晶微半导体(江阴)有限公司尹佳山获国家专利权
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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利重新布线层的制备方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284800B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010101446.9，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权重新布线层的制备方法及其结构是由尹佳山;周祖源;吴政达设计研发完成，并于2020-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本重新布线层的制备方法及其结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种重新布线层的制备方法及其结构，该方法包括：提供支撑基底，并于其上形成扩散阻挡层；通过涂胶、曝光、显影工艺，于扩散阻挡层上形成图形化的光刻胶层；于扩散阻挡层上形成上端小下端大的类喇叭状的形貌的金属线层；去除图形化的光刻胶层；采用湿法刻蚀去除扩散阻挡层；采用等离子体刻蚀刻蚀金属线层，以对金属线层的形貌进行整形。通过采用等离子体刻蚀工艺对金属线层的下端进行整形，去除金属线层的下端的尖角凸部，或尖角凸部呈圆角化，可有效增大相邻金属线层之间的线间距，提高WLP的集成度；另外，消除了金属线层的下端的尖角凸部，可避免重新布线层尖端放电及相邻金属线层桥接的风险，提高了重新布线层的电学性能。
本发明授权重新布线层的制备方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种重新布线层的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤： 提供支撑基底，并于所述支撑基底上形成扩散阻挡层； 于所述扩散阻挡层上涂覆光刻胶层，并通过曝光、显影工艺于所述光刻胶层形成填充窗口，所述填充窗口呈上端小下端大的形貌； 于所述填充窗口的所述扩散阻挡层上形成金属线层，所述金属线层呈上端小下端大的形貌，所述金属线层的下端具有尖角凸部； 去除所述光刻胶层； 采用湿法刻蚀去除未被所述金属线层覆盖的所述扩散阻挡层； 采用等离子体刻蚀刻蚀所述金属线层，以去除所述金属线层的下端的所述尖角凸部，或使所述金属线层的下端的尖角凸部呈圆角化。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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