于利希研究中心有限公司A·保利斯获国家专利权
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龙图腾网获悉于利希研究中心有限公司申请的专利欧姆接触的制造方法和具有欧姆接触的电子元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113692642B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080028900.0，技术领域涉及：H01L21/443；该发明授权欧姆接触的制造方法和具有欧姆接触的电子元件是由A·保利斯;J·杨森;B·本尼曼;C·克劳斯设计研发完成，并于2020-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本欧姆接触的制造方法和具有欧姆接触的电子元件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于制造电子元件的欧姆接触的方法，其中，将由半导体组成的层3间接或直接地施加到衬底1上，其特征在于，湿化学蚀刻所施加的半导体层3的待接触的表面，用自由基冲洗湿化学蚀刻的表面，将电导体8或半导体7施加到用自由基冲洗的表面。本发明还涉及一种电子元件，其在衬底1上具有多个半导体层2、3、4，在施加到衬底1的一个或多个半导体层2、3、4上具有顶层5，其中顶层5由非导电电介质组成，具有通过顶层通向半导体层3的通道6；相邻半导体层2、3、4由不同的II‑VI半导体组成；用II‑VI半导体7至少部分地填充通道6，将金属接触8施加到II‑VI半导体7上，该接触延伸至顶层5的外侧或相对于顶层5向外突出。
本发明授权欧姆接触的制造方法和具有欧姆接触的电子元件在权利要求书中公布了：1.一种用于制造电子元件的欧姆接触的方法，其中，将半导体层（3）间接或直接地施加到衬底（1）上，其特征在于，向半导体层（3）施加非导电顶层（5），创建通过所述顶层（5）通向所述半导体层（3）的通道（6），湿化学蚀刻通过所述通道（6）接触的所施加的半导体层（3）的待接触的表面，用自由基冲洗湿化学蚀刻的表面，用金属蒸气处理用自由基冲洗过的表面，所述金属蒸气包括也存在于所述半导体层（3）中的金属，在进行金属蒸气处理后，所述通道（6）至少部分地填充有掺杂的半导体（7），且在所述掺杂的半导体（7）上施加电导体（8）。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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