济南晶正电子科技有限公司李真宇获国家专利权
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龙图腾网获悉济南晶正电子科技有限公司申请的专利一种复合单晶压电基板及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113541626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010315140.3，技术领域涉及：H03H3/08；该发明授权一种复合单晶压电基板及制备方法是由李真宇;朱厚彬;张秀全;王金翠;张涛设计研发完成，并于2020-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合单晶压电基板及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种复合单晶压电基板及其制备方法，所述复合单晶压电基板包括硅衬底层1、二氧化硅层2和单晶压电层3，其中，所述硅衬底层1的表面被损伤形成损伤层4，所述损伤层4与所述二氧化硅层2接触，本申请提供的方法将高温工艺步骤设置于损伤层4形成之前，并透过所述二氧化硅层2“远程隔空”制备损伤层4，使得所述二氧化硅层2的厚度均匀性好，损伤层4中用于捕获载流子的缺陷密度大，所述复合单晶压电基板的结构稳定，能够有效捕获由于硅衬底层1与二氧化硅层2界面上不可避免的缺陷而生成的载流子，从而提高基于所述复合单晶压电基板制得器件的性能。
本发明授权一种复合单晶压电基板及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合单晶压电基板，其特征在于，所述复合单晶压电基板由下至上依次包括硅衬底层1、二氧化硅层2和单晶压电层3，其中，所述硅衬底层1自其与二氧化硅层的界面至其内部具有预设深度的区域被损伤形成损伤层4，所述损伤层4与所述二氧化硅层2相接； 其中，所述复合单晶压电基板基于以下方法制备得到：在硅衬底层的上表面进行热氧化处理，生成二氧化硅层； 穿过所述二氧化硅层对硅衬底层的表面进行损伤，形成损伤层；其中，对硅衬底层的表面进行损伤的方法包括离子注入法或激光损蚀法； 制备单晶压电层，使单晶压电层、二氧化硅层、损伤层和硅衬底层叠加形成复合单晶压电基板。
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