三星电子株式会社李瑌真获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括低K介电层的半导体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010316950.0，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权包括低K介电层的半导体芯片是由李瑌真;卢晙镛;崔慜贞;韩正勋;赵允来设计研发完成，并于2020-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括低K介电层的半导体芯片在说明书摘要公布了：提供了一种半导体芯片，该半导体芯片包括：器件层，位于基底上，器件层包括多个半导体器件；布线结构和下布线间介电层，均位于器件层上，下布线间介电层围绕布线结构并且具有比氧化硅的介电常数低的介电常数；上布线间介电层，布置在下布线间介电层上；隔离凹陷，沿着基底的边缘布置，隔离凹陷形成在下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面上，并且具有处于等于或低于下布线间介电层的底表面的水平的水平的底表面；以及覆盖介电层，覆盖下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面以及隔离凹陷的底表面。
本发明授权包括低K介电层的半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片，所述半导体芯片包括： 器件层，位于基底上，器件层包括多个半导体器件； 布线结构和下布线间介电层，均位于器件层上，下布线间介电层围绕布线结构并且具有比氧化硅的介电常数低的介电常数； 上布线间介电层，位于下布线间介电层上，上布线间介电层具有等于或高于氧化硅的介电常数的介电常数； 隔离凹陷，沿着基底的边缘，隔离凹陷形成在下布线间介电层的侧表面和上布线间介电层的侧表面上，隔离凹陷具有处于等于或低于下布线间介电层的底表面的水平的水平的底表面；以及 覆盖介电层，覆盖下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面和隔离凹陷的底表面， 其中，基底在平面图中具有形成矩形形状的四条边， 其中，覆盖介电层具有沿着基底的四条边中的至少一条边的台阶部，并且 其中，槽或突起沿着基底的四条边中的至少一条边形成在台阶部的底表面中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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