桑迪士克科技有限责任公司大津良孝获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利具有被穿孔介电壕沟结构包围的通孔结构的三维存储器器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080081622.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权具有被穿孔介电壕沟结构包围的通孔结构的三维存储器器件及其制造方法是由大津良孝;冈部贤一郎;新井高志;寺原真典;金泽纯平设计研发完成，并于2020-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有被穿孔介电壕沟结构包围的通孔结构的三维存储器器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种三维存储器器件包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠、竖直地延伸穿过该交替堆叠的存储器堆叠结构、竖直地延伸穿过该交替堆叠的穿孔介电壕沟结构和被该穿孔介电壕沟结构横向包围且竖直地延伸穿过该交替堆叠内的每个绝缘层的互连通孔结构。该存储器堆叠结构中的每个存储器堆叠结构包括竖直半导体沟道和位于该导电层的层级处的存储器元件的竖直堆叠。该穿孔介电壕沟结构包括在该绝缘层的每个层级处的多个横向开口并且不包括在该导电层的层级处的任何开口。互连通孔结构可被该穿孔介电壕沟结构横向包围并且可竖直地延伸穿过该交替堆叠内的每个绝缘层。
本发明授权具有被穿孔介电壕沟结构包围的通孔结构的三维存储器器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括： 绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠定位在衬底上方； 存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构竖直地延伸穿过所述交替堆叠，其中所述存储器堆叠结构中的每个存储器堆叠结构包括竖直半导体沟道和位于所述导电层的层级处的存储器元件的竖直堆叠； 穿孔介电壕沟结构，所述穿孔介电壕沟结构竖直地延伸穿过所述交替堆叠，并且包括在所述绝缘层的每个层级处的多个横向开口并且不包括在所述导电层的层级处的任何开口；和 互连通孔结构，所述互连通孔结构被所述穿孔介电壕沟结构横向包围并且竖直地延伸穿过所述交替堆叠内的每个绝缘层。
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