三星电子株式会社李炫锡获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利在下电极结构上包括支撑图案的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447719B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010488922.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权在下电极结构上包括支撑图案的半导体器件是由李炫锡;姜埈求;赵基熙;安相赫设计研发完成，并于2020-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本在下电极结构上包括支撑图案的半导体器件在说明书摘要公布了：提供了半导体器件。半导体器件包括下电极结构的第一部分，下电极结构的第一部分位于基底上。半导体器件包括第一支撑图案，第一支撑图案与下电极结构的第一部分的侧壁的第一部分接触。半导体器件包括下电极结构的第二部分，下电极结构的第二部分位于下电极结构的第一部分的侧壁的第二部分上。半导体器件包括上电极，上电极位于下电极结构的第二部分上和第一支撑图案上。此外，半导体器件包括介电层，介电层位于上电极与下电极结构的第二部分之间。
本发明授权在下电极结构上包括支撑图案的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 下电极结构的第一部分，位于基底上； 第一支撑图案，与下电极结构的第一部分的侧壁的第一部分接触； 下电极结构的第二部分，位于下电极结构的第一部分的侧壁的第二部分上； 上电极，位于下电极结构的第二部分上和第一支撑图案上；以及 介电层，位于上电极与下电极结构的第二部分之间， 其中，下电极结构的第一部分与介电层通过下电极结构的第二部分物理间隔开，使得介电层不包括与下电极结构的第一部分接触的部分， 其中，下电极结构的第二部分和介电层均包括具有四方结构的材料， 其中，下电极结构的第二部分不存在于第一支撑图案的顶表面和底表面或者在第一支撑图案的顶表面和底表面上是不连续的，并且 其中，介电层与第一支撑图案的顶表面和底表面接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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