英飞凌科技股份有限公司F.J.桑托斯罗德里格斯获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112103235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010558889.0，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构是由F.J.桑托斯罗德里格斯;P.伊尔西格勒设计研发完成，并于2020-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构在说明书摘要公布了：用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构。提供用于处理具有半导体器件层的衬底组件的方法。方法可包括步骤：在衬底组件处布置辅助载体，使得辅助载体的连接表面和衬底组件的第一表面至少在一些位置处彼此直接邻接；通过熔化辅助载体的载体部分和直接邻接辅助载体的载体部分的衬底组件的衬底部分使得辅助载体和衬底组件仅在辅助载体和衬底组件的熔合部分中局部地熔合而将辅助载体固定地附接到衬底组件；以及处理衬底组件的半导体器件层，辅助载体固定地附接到衬底组件；其中熔合部分覆盖衬底组件的第一表面的至多20%。
本发明授权用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构在权利要求书中公布了：1.一种用于处理具有半导体器件层14的衬底组件10的方法，包括以下步骤： 在衬底组件10处布置辅助载体20，使得辅助载体20的连接表面20a和衬底组件10的第一表面10a彼此直接邻接； 通过熔化辅助载体20的载体部分和直接邻接辅助载体20的载体部分201的衬底组件10的衬底部分101使得辅助载体20和衬底组件10仅在辅助载体20和衬底组件10的熔合部分30中局部地熔合而将辅助载体20固定地附接到衬底组件10，其中，熔合部分30通过至少一个未熔合部分彼此横向分离；以及 在辅助载体20固定地附接到衬底组件10的情况下处理衬底组件10的半导体器件层14。
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