三星电子株式会社李光永获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010885689.6，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体装置及其制造方法是由李光永;李珍旭设计研发完成，并于2020-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括设置在衬底上的源极漏极图案和连接到源极漏极图案的源极漏极触点。源极漏极触点包括在第一方向上延伸的下触点结构和从下触点结构突出的上触点结构。上触点结构包括在第一方向上彼此背离的第一侧壁和第二侧壁。上触点结构的第一侧壁包括多个第一子侧壁，并且各个第一子侧壁包括凹面。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 衬底； 源极漏极图案，其设置在所述衬底上；以及 源极漏极触点，其连接到所述源极漏极图案， 其中，所述源极漏极触点包括在第一方向上延伸的下触点结构以及从所述下触点结构突出的上触点结构， 其中，所述上触点结构包括在所述第一方向上彼此背离的第一侧壁和第二侧壁， 其中，所述上触点结构的第一侧壁包括多个第一子侧壁， 其中，所述多个第一子侧壁中的每一个具有相对于所述上触点结构的内部的凹面，并且 其中，在所述上触点结构的上表面与所述第一子侧壁的最上凹面之间形成锐角。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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