中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵君红获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141873B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010917282.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵君红设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区，所述第一区表面具有鳍部材料膜；在所述第一区上的鳍部材料膜内形成第一开口；在所述第一区的基底内形成第二开口，所述第一开口和第二开口相连通；在所述第二开口内形成导电插塞，所述第一开口底部暴露出导电插塞顶部表面。所述第一开口和第二开口是通过刻蚀第一区基底和基底表面的鳍部材料膜而形成，由于所述鳍部材料膜的厚度较小，使得形成的第二开口底部到鳍部材料膜顶部表面的距离较小，从而形成第二开口的难度降低，从而降低了工艺难度，且提高了第二开口的形貌。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括第一区，所述第一区表面具有若干相互分立的鳍部结构； 位于所述第一区上的相邻鳍部结构之间且位于所述基底上方的第一开口； 位于所述第一开口内的第二隔离部，所述第二隔离部位于基底上且覆盖部分鳍部结构的侧壁表面； 位于所述第一区的基底内的第二开口，所述第一开口和所述第二开口相连通； 位于所述第二开口内的导电插塞，所述第一开口底部暴露出所述导电插塞顶部表面； 所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸，所述第一开口暴露出所述导电插塞以及所述导电插塞两侧的部分基底表面，所述导电插塞填充满所述第二开口，所述第二隔离部暴露所述鳍部结构的顶部表面。
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