三星电子株式会社姜书求获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112563282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010986152.9，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体装置是由姜书求;张大铉;沈在龙;安钟善;韩智勋设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括：外围电路区，其包括第一衬底和第一衬底上的电路元件；以及存储器单元区，其包括：第二衬底，其位于第一衬底的上部分上；栅电极，其彼此间隔开并竖直地堆叠在第二衬底上；沟道结构，其穿过栅电极竖直地延伸到第二衬底；第一分离区，其穿透沟道结构之间的栅电极并在一个方向上延伸；以及第二分离区，其竖直地延伸以从上方穿透第二衬底并具有由于宽度的改变而导致的弯曲部分。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 外围电路区，其包括第一衬底和所述第一衬底上的电路元件；以及 存储器单元区，其包括：第二衬底，其位于所述第一衬底的上部分上；栅电极，其彼此间隔开并竖直地堆叠在所述第二衬底上；水平导电层，其位于所述第二衬底与所述栅电极之间；沟道结构，其穿过所述栅电极竖直地延伸到所述第二衬底；第一分离区，其穿透所述沟道结构之间的栅电极并在一个方向上延伸；单元区绝缘层，其覆盖所述栅电极的堆叠结构；以及第二分离区，其竖直地延伸以从上方穿透所述第二衬底， 其中，所述第二分离区包括第一区和第二区，所述第一区以沟槽形式从上方向所述第二衬底内部延伸，所述第二区在所述第二衬底内连接到所述第一区的下端，所述第二区的宽度大于所述第一区的宽度，并且所述第二区具有圆的外表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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