中芯集成电路(宁波)有限公司赵强获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利半导体器件制造方法及电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114314500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011069514.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权半导体器件制造方法及电子装置是由赵强;桂珞;韩凤芹;石丹丹;李萍;王邦旭设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件制造方法及电子装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件制造方法及电子装置，先在载体衬底上制作封孔膜层，并通过键合工艺将封孔膜层转移到器件衬底的第一部件上，以对第一部件的至少部分释放孔进行封孔，由此避免了直接在第一部件上形成封孔薄膜时导致第一部件锁死以及封孔材料或显影液进入半导体器件内部的风险。
本发明授权半导体器件制造方法及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括： 提供器件衬底，所述器件衬底具有第一牺牲件和第二牺牲件、第一部件、第二部件以及贯穿所述第一部件的多个第一释放孔，所述第一部件的部分区域通过所述第一牺牲件固定连接到所述第二部件上，所述第一部件与所述第二部件之间的其余间隙被所述第二牺牲件填充； 提供载体衬底，在所述载体衬底上形成封孔膜层； 将所述封孔膜层键合到所述第一部件上，以至少对部分所述第一释放孔进行封孔； 去除所述载体衬底； 所述半导体器件制造方法还包括：在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之前，先至少通过所述第一释放孔去除所述第二牺牲件，并使得所述第一牺牲件保持所述第一部件与所述第二部件之间的固定连接；以及，在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后且在去除所述载体衬底之前或之后，去除所述第一牺牲件。
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