中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373713B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011094777.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2020-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；形成沿第一方向延伸的核心层；在核心层的侧壁上形成掩膜侧墙；形成沿第二方向延伸的第一分割层，与掩膜侧墙沿第一方向的侧壁相接触；形成沿第二方向与核心层间隔排列的牺牲层，覆盖掩膜侧墙沿第一方向的侧壁，沿第一方向牺牲层凸出于第一分割层的两侧且覆盖第一分割层的部分侧壁；在牺牲层、核心层、掩膜侧墙和第一分割层露出的基底上形成平坦层；去除牺牲层形成第一凹槽，沿第一方向第一凹槽被第一分割层分割；去除核心层形成第二凹槽；以掩膜侧墙、第一分割层和平坦层为掩膜，图形化第一凹槽和第二凹槽下方的目标层，形成目标图形。本发明实施例有利于提高目标图形的图形精度和图形质量。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成目标图形的目标层； 在所述基底上形成沿第一方向延伸的核心层，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向； 在所述核心层的侧壁上形成掩膜侧墙； 形成沿第二方向延伸的第一分割层，所述第一分割层与所述掩膜侧墙沿第一方向的侧壁相接触； 形成沿第一方向延伸、且沿第二方向与所述核心层间隔排列的牺牲层，所述牺牲层覆盖掩膜侧墙沿第一方向的侧壁，沿第一方向，所述牺牲层凸出于所述第一分割层的两侧且覆盖所述第一分割层的部分侧壁； 在所述牺牲层、核心层、掩膜侧墙和第一分割层露出的基底上形成平坦层； 去除所述牺牲层，在所述平坦层中形成第一凹槽，沿第一方向所述第一凹槽被所述第一分割层分割； 去除所述核心层，在所述平坦层中形成第二凹槽； 以所述掩膜侧墙、第一分割层和平坦层为掩膜，图形化所述第一凹槽和第二凹槽下方的目标层，形成目标图形。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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