中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司苏博获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116508133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103573.0，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构及其形成方法是由苏博;赵振阳;张海洋设计研发完成，并于2020-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括目标层，基底包括用于形成目标图形层的目标区和与切割位置对应的切割区；在基底上形成掩膜侧墙；以掩膜侧墙为掩膜，图形化目标层，形成分立的初始图形层，初始图形层沿横向延伸，与横向垂直的方向为纵向，沿纵向相邻初始图形层之间形成有凹槽；形成边界定义槽，贯穿沿横向位于目标区与切割区的交界位置处的初始图形层；形成填充于凹槽和边界定义槽的间隔层；以位于边界定义槽中的间隔层和位于凹槽中的间隔层，分别对应为沿横向和纵向的停止层，刻蚀位于切割区的初始图形层，位于目标区的剩余初始图形层用于作为目标图形层。本发明实施例有利于增大刻蚀切割区的初始图形层的工艺窗口。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括目标区和切割区，所述基底包括分立于所述目标区的目标图形层，所述目标图形层沿横向延伸，与所述横向垂直的方向为纵向；所述目标图形层为鳍部； 切割槽，位于所述切割区的基底上，所述切割槽沿所述横向延伸，所述切割槽沿所述横向与目标图形层相连，或所述切割槽与目标图形层平行间隔排列； 边界定义槽，沿横向位于所述切割槽与目标图形层之间； 间隔层，填充于相邻所述目标图形层之间、相邻所述切割槽的侧壁之间、以及所述切割槽的侧壁与所述目标图形层之间，所述间隔层填充所述边界定义槽； 填充隔离层，填充于所述切割槽内； 填充隔离层和间隔层的厚度为能露出鳍部的侧壁，填充隔离层和间隔层用于作为隔离结构，所述隔离结构顶面低于鳍部的顶面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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