中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司马慧琳获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011210099.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由马慧琳设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括堆叠的第一晶圆和第二晶圆以及贯穿所述第二晶圆并电连接所述第一晶圆中的第一再布线层的硅通孔，所述第二晶圆中形成有第二金属连线层；介质层，位于所述第二晶圆表面；第二再布线层，位于所述介质层中，所述第二再布线层的第一部分电连接所述硅通孔，所述第二再布线层的第二部分位于所述第二金属连线层上方；第二通孔，位于所述第二布线层的第二部分下方且电连接所述第二再布线层的第二部分，所述第二通孔不与所述第二金属连线层直接相连；第三通孔，位于所述第二通孔下方且电连接所述第二金属连线层和所述第二通孔。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括堆叠的第一晶圆和第二晶圆以及贯穿所述第二晶圆并电连接所述第一晶圆中的第一再布线层的硅通孔，所述第二晶圆中形成有第二金属连线层； 在所述硅通孔表面和所述第二晶圆表面形成介质层； 在所述介质层中形成第一沟槽，所述第一沟槽的第一部分暴露所述硅通孔，所述第一沟槽的第二部分位于所述第二金属连线层上方； 在所述第一沟槽的第二部分底部形成位于所述第二金属连线层上方的第二沟槽，所述第二沟槽不暴露所述第二金属连线层； 在所述第二沟槽底部形成暴露所述第二金属连线层的第三沟槽； 在所述第一沟槽中形成第二再布线层、在所述第二沟槽中形成第二通孔、在所述第三沟槽中形成第三通孔，所述第三通孔的尺寸小于所述第二通孔的尺寸。
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