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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利批量扩散焊接和通过批量扩散焊接生产的电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786469B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011230027.1，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权批量扩散焊接和通过批量扩散焊接生产的电子器件是由K·特鲁诺夫;A·海因里希;K·勒斯尔;A·昂劳设计研发完成，并于2020-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本批量扩散焊接和通过批量扩散焊接生产的电子器件在说明书摘要公布了：一种批量焊接的方法包括：经由不直接向第一半导体管芯施加压力的焊接工艺，使用焊料预成型件在第一半导体管芯的金属区域与衬底的金属区域之间形成焊接接头，焊料预成型件的最大厚度为30μm，并且熔点低于金属区域；设置焊接工艺的焊接温度，使得焊料预成型件熔化并且与第一半导体管芯的金属区域和衬底的金属区域完全反应以在整个焊接接头中形成一个或多个金属间相，每个金属间相的熔点高于焊料预成型件的熔点和焊接温度；以及在不直接向第二半导体管芯施加压力的情况下，将第二半导体管芯焊接到衬底的相同或不同金属区域。

本发明授权批量扩散焊接和通过批量扩散焊接生产的电子器件在权利要求书中公布了：1.一种批量焊接的方法，包括： 经由不直接向第一半导体管芯施加压力的焊接工艺，使用第一焊料预成型件在所述第一半导体管芯的金属区域与衬底的第一金属区域之间形成第一焊接接头，所述第一焊料预成型件的最大厚度为30μm，并且所述第一焊料预成型件的熔点低于所述第一半导体管芯的所述金属区域和所述衬底的所述第一金属区域两者的熔点； 设置所述焊接工艺的焊接温度，使得所述第一焊料预成型件熔化并且与所述第一半导体管芯的所述金属区域和所述衬底的所述第一金属区域完全反应，以在整个所述第一焊接接头中形成一个或多个金属间相，所述一个或多个金属间相中的每个的熔点高于所述第一焊料预成型件的所述熔点和所述焊接温度；以及 在不直接向第二半导体管芯施加压力的情况下，将所述第二半导体管芯焊接到所述衬底的所述第一金属区域或不同金属区域，其中， 将所述第二半导体管芯焊接到所述衬底包括： 经由用于形成所述第一焊接接头的相同焊接工艺并且在不直接向所述第二半导体管芯施加压力的情况下，使用第二焊料预成型件或软焊膏在所述第二半导体管芯的金属区域与所述衬底的所述第一金属区域或不同金属区域之间形成第二焊接接头，其中， 在使用所述第二焊料预成型件形成所述第二焊接接头的情况下，所述第二焊料预成型件比所述第一焊料预成型件更厚，并且， 所述第二焊接接头在所述第二焊接接头的中间部分中没有金属间相。

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