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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种平板探测器及其驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114460620B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011248017.0，技术领域涉及：G01T1/161；该发明授权一种平板探测器及其驱动方法是由李泽源;陈江博;孟凡理设计研发完成，并于2020-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种平板探测器及其驱动方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平板探测器及其驱动方法，通过使探测单元包括：第一晶体管、第二晶体管、存储电容以及光电检测器件，由于第二晶体管的有源层的材料为非晶硅半导体材料，第一晶体管的有源层的材料为低温多晶硅半导体材料或金属氧化物半导体材料，可以通过控制第一晶体管的导通与截止以及控制第二晶体管的导通与截止，可以降低光电检测器件产生的电信号的传输延迟。在将平板探测器应用于X射线探测装置中时，可以提高X射线数字影像的精确度。

本发明授权一种平板探测器及其驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种平板探测器，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的多条扫描线、多条检测线，以及由所述多条扫描线和所述多条检测线限定的多个探测单元；其特征在于，所述多条扫描线包括多条第一扫描线和多条第二扫描线； 各所述探测单元包括：第一晶体管、第二晶体管、存储电容以及光电检测器件；所述第二晶体管的有源层的材料为非晶硅半导体材料，所述第一晶体管的有源层的材料为低温多晶硅半导体材料或金属氧化物半导体材料； 所述第一晶体管的栅极与所述第一扫描线电连接，所述第一晶体管的第一极与所述检测线电连接，所述第一晶体管的第二极分别与所述存储电容的第一电极板和所述第二晶体管的第一极电连接； 所述第二晶体管的栅极与所述第二扫描线电连接，所述第二晶体管的第二极与所述光电检测器件电连接； 所述存储电容的第二电极板与参考信号端电连接； 所述平板探测器包括： 第一半导体层，位于所述衬底基板上；其中，所述第一半导体层包括所述第一晶体管的有源层； 栅绝缘层，位于所述第一半导体层远离所述衬底基板一侧； 第一导电层，位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板一侧；其中，所述第一导电层包括所述第一晶体管的栅极以及所述第一扫描线；所述第一扫描线沿第一方向延伸； 层间介质层，位于所述第一导电层远离所述衬底基板一侧； 第二导电层，位于所述层间介质层远离所述衬底基板一侧；其中，所述第二导电层包括所述第一晶体管的第一极和第二极以及所述检测线；所述第一晶体管的第一极和第二极分别通过贯穿所述层间介质层和所述栅绝缘层的第一过孔与所述第一晶体管的有源层电连接；所述检测线沿第二方向延伸； 所述第二晶体管和所述存储电容分别位于所述第一半导体层远离所述衬底基板一侧。

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