苏州晶湛半导体有限公司张丽旸获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116490985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107047.1，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权半导体器件及其制备方法是由张丽旸设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件10及其制备方法。该半导体器件10的制备方法，包括：先在衬底11上形成第一导电层12，其中，第一导电层12包括重掺杂的III‑V族化合物，然后，在第一导电层上形成隔离结构13，然后，以隔离结构13为掩模生长发光结构14，其中，发光结构14包括依次层叠于第一导电层12上的第一半导体层141、有源层142与第二半导体层143，第一半导体层141的导电类型与第二半导体层142的导电类型相反。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底11上形成第一导电层12，所述第一导电层12包括重掺杂的III-V族化合物； 在所述第一导电层12上形成隔离结构13； 以所述隔离结构13为掩模生长发光结构14；所述发光结构14包括依次层叠于所述第一导电层12上的第一半导体层141、有源层142与第二半导体层143，所述第一半导体层141的导电类型与所述第二半导体层143的导电类型相反； 还包括： 形成第一电极15与第二电极16，所述第一电极15通过所述隔离结构13内的第一过孔17与所述第一导电层12电连接，所述第二电极16位于所述第二半导体层143上，且与所述第二半导体层143电连接；在所述隔离结构13与所述第一导电层12中形成第二过孔18，所述第二过孔18贯穿所述隔离结构13与所述第一导电层12； 在所述第二过孔18中形成第一绝缘介质层19，以及在相邻的所述第一电极15与所述第二电极16之间形成第二绝缘介质层21，得到中间过渡结构30。
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