中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司李强获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530373B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011324680.4，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权半导体结构的形成方法是由李强;付斌设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：向所述第一开口底部注入第一离子，使所述第一开口暴露出的所述第一抗反射材料层形成第一改性区，使所述第二区上的第一抗反射材料层以及所述残留层形成第二改性区；刻蚀所述第一改性区和所述第二改性区，直到去除所述第一改性区，使所述第一抗反射材料层形成第一抗反射层，所述第二改性区中的第一抗反射材料层相对于所述第一改性区密度较低，在刻蚀所述第一改性区和所述第二改性区的工艺中，使位于所述第二区上的第一图形材料层表面残留很少，不影响后续的刻蚀工艺，从而提高了图形定义的准确性，从而提高了器件的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和环绕所述第一区的第二区； 在所述待刻蚀层表面上形成第一图形材料层、位于所述第一图形材料层表面的第一抗反射材料层、以及位于所述第一抗反射材料层表面的第二抗反射材料层； 图形化所述第二抗反射材料层，形成第二抗反射层以及位于所述第二抗反射层内的第一开口，并使所述第一区上第一开口底部的所述第一抗反射材料层表面暴露，所述第二区上残留的部分第二抗反射材料层形成残留层； 向所述第一开口底部注入第一离子，使所述第一开口暴露出的所述第一抗反射材料层形成第一改性区，使所述第二区上的第一抗反射材料层以及所述残留层形成第二改性区，使所述第一改性区的密度大于所述第二改性区中的所述第一抗反射材料层的密度； 刻蚀所述第一改性区和所述第二改性区，直到去除所述第一改性区，使所述第一抗反射材料层形成第一抗反射层，所述第二改性区中的所述第一抗反射材料层的刻蚀速率大于所述第一改性区的刻蚀速率。
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