苏州晶歌半导体有限公司张立群获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶歌半导体有限公司申请的专利红外探测器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310234B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011345739.8，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权红外探测器及其制作方法是由张立群;黄勇设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本红外探测器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种红外探测器，其P型超晶格势垒层14为P型InPSbGaSb超晶格。本发明采用InPSbGaSb超晶格制作形成电子势垒层，其势垒高度高于传统的InAsGaSb超晶格电子势垒，从而改善电子阻挡效果。本发明还公开了一种红外探测器，其N型超晶格势垒层12为N型InPSbGaSb超晶格。本发明采用InPSbGaSb超晶格制作形成空穴势垒层，由于不含有Al，因此避免了含Al材料的氧化，降低了材料生长和加工的难度，提升了器件稳定性和可靠性。本发明还公开了一种红外探测器的制作方法。
本发明授权红外探测器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种红外探测器，其特征在于，所述红外探测器包括：包括衬底10、N型接触层11、N型超晶格势垒层12、超晶格吸收层13、P型超晶格势垒层14、P型接触层15、第一电极16以及第二电极17； 其中，所述N型接触层11、所述N型超晶格势垒层12、所述超晶格吸收层13、所述P型超晶格势垒层14以及所述P型接触层15依序层叠在所述衬底10上，所述第一电极16设置在所述N型接触层11上，所述第二电极17设置在所述P型接触层15上，所述红外探测器的P型超晶格势垒层14为P型InPSbGaSb超晶格。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶歌半导体有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城20号楼3层300-44工位（集群登记）；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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