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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利集成有共享栅极垂直场效应晶体管的电阻式随机存取存储器单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114846621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080087723.3，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权集成有共享栅极垂直场效应晶体管的电阻式随机存取存储器单元是由A.雷兹尼塞克;B.赫克马特肖亚塔巴里;安藤崇志设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成有共享栅极垂直场效应晶体管的电阻式随机存取存储器单元在说明书摘要公布了：一种双晶体管二电阻器2T2R电阻式随机存取存储器ReRAM结构及其形成方法，包括形成在衬底102上的两个垂直场效应晶体管VFET，每个VFET包括位于沟道区302上方和电介质盖308下方的外延区410。外延区410包括水平延伸超过沟道区302的两个相对的三角形突出区。金属栅极材料602设置在沟道区302上和沟道区302周围。金属栅极材料602的一部分位于两个VFET之间。ReRAM堆叠体被沉积在与每个VFET的与位于两个VFET之间的金属栅极材料602的部分相对的一侧相邻的两个开口1010内。直接接触ReRAM堆叠体的外延区410的一部分作为ReRAM结构的底部电极。

本发明授权集成有共享栅极垂直场效应晶体管的电阻式随机存取存储器单元在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 在衬底上形成两个垂直场效应晶体管，所述垂直场效应晶体管中的每一个包括位于沟道区上方和电介质盖下方的外延区，所述外延区包括水平延伸超过所述沟道区的三角形形状的两个相对的突出区； 沉积金属栅极材料，所述金属栅极材料设置在所述沟道区上和所述沟道区周围，其中所述金属栅极材料的一部分位于所述两个垂直场效应晶体管之间； 在所述金属栅极材料上方沉积层间电介质层； 使所述层间电介质层凹陷以形成两个开口，每个开口与每个垂直场效应晶体管的与所述金属栅极材料的位于所述两个垂直场效应晶体管之间的所述部分相对的一侧相邻，其中每个开口暴露每个垂直场效应晶体管的外延区的一部分；以及 在所述两个开口中的每一个内沉积电阻式随机存取存储器堆叠体，所述电阻式随机存取存储器堆叠体包括直接位于所述外延区的暴露部分上方的氧化物层、直接位于所述氧化物层上方的顶部电极层和位于所述顶部电极层上方的金属填充物，其中所述外延区的所述暴露部分充当所述电阻式随机存取存储器堆叠体的底部电极。

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