华为技术有限公司赫然获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116635995B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107725.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体器件及其制备方法、电子设备是由赫然;焦慧芳设计研发完成，并于2020-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，能够解决半导体器件制备过程中高成本晶圆有效利用率低的问题，并有效提升半导体器件生产过程中的工艺稳定性。该半导体器件包括：第一衬底、至少一个晶体管、辅助承载部以及多个金属图案。辅助承载部和该至少一个晶体管被设置于第一衬底上。辅助承载部在第一衬底上的正投影位于该至少一个晶体管在第一衬底上的正投影外，且辅助承载部在第一衬底上的正投影边界与该至少一个晶体管在第一衬底上的正投影边界部分重合。该多个金属图案形成于辅助承载部的背离第一衬底的一侧，且其中的至少一个金属图案与晶体管的栅极耦接，至少一个金属图案与晶体管的漏极耦接。
本发明授权半导体器件及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一衬底、至少一个晶体管、辅助承载部、以及多个金属图案；其中， 所述辅助承载部和所述至少一个晶体管被设置于所述第一衬底上；所述辅助承载部在所述第一衬底上的正投影位于所述至少一个晶体管在所述第一衬底上的正投影外，且所述辅助承载部在所述第一衬底上的正投影边界与所述至少一个晶体管在所述第一衬底上的正投影边界部分重合； 所述至少一个晶体管中的每个晶体管包括：半导体层，以及位于所述半导体层的背离所述第一衬底的一侧的栅极、源极和漏极； 所述多个金属图案形成于所述辅助承载部的背离所述第一衬底的一侧；所述多个金属图案中的至少一个金属图案与所述栅极耦接，至少一个金属图案与所述漏极耦接，且与所述栅极耦接的金属图案和与所述漏极耦接的金属图案绝缘； 其中，所述辅助承载部的背离所述第一衬底的表面，与所述至少一个晶体管的背离所述第一衬底的表面平齐或大致平齐。
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