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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113937116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011524268.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其形成方法是由吴政达;曾国华;杜友伦设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及具有由背侧深沟槽隔离BDTI结构包围的光电二极管的图像传感器，以及相关的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域设置在图像感测管芯内，并且分别包括被配置为将辐射转换成电信号的光电二极管。光电二极管包括具有第一掺杂类型的光电二极管掺杂柱，该光电二极管掺杂柱由具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型的光电二极管掺杂层包围。BDTI结构设置在相邻像素区域之间，并且从图像传感器管芯的背侧延伸到光电二极管掺杂层内的位置。BDTI结构包括具有第二掺杂类型的掺杂衬垫和介电填充层。掺杂衬垫内衬介电填充层的侧壁表面。

本发明授权图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括： 图像感测管芯，具有前侧和与所述前侧相对的背侧； 多个像素区域，设置在所述图像感测管芯内并分别包括光电二极管，所述光电二极管被配置为将从所述图像传感器管芯的所述背侧进入的辐射转换成电信号，所述光电二极管包括具有第一掺杂类型的光电二极管掺杂柱，所述光电二极管掺杂柱由具有不同于所述第一掺杂类型的第二掺杂类型的光电二极管掺杂层包围；以及 背侧深沟槽隔离BDTI结构，设置在相邻像素区域之间并且从所述图像传感器管芯的所述背侧延伸到所述光电二极管掺杂层内的位置； 浅沟槽隔离STI结构，设置在从所述图像传感管芯的所述前侧到所述光电二极管掺杂层内的位置的所述相邻像素区域之间； 掺杂隔离阱，具有所述第二掺杂类型且包围所述浅沟槽隔离结构； 第一深阱，具有所述第一掺杂类型，并且设置在所述光电二极管掺杂层的与所述图像感测管芯的所述背侧相邻的第一表面上； 第二深阱，具有所述第二掺杂类型且设置在所述第一深阱上，其中，所述背侧深沟槽隔离结构包括具有所述第二掺杂类型的掺杂衬垫和介电填充层，所述掺杂衬垫内衬所述介电填充层的侧壁表面， 其中，所述第一深阱和所述第二深阱位于所述光电二极管掺杂层与所述背侧深沟槽隔离结构的所述掺杂衬垫之间。

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