中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司邱晶获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664944B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011538721.X，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由邱晶;涂武涛;陈建;王彦设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括沿第一方向排布的有效区和隔离区，且所述有效区位于所述隔离区两侧并与所述隔离区相邻，所述基底上具有第一鳍部和平行于所述第一鳍部的第二鳍部，且所述第一鳍部和第二鳍部的导电类型不同，所述第一鳍部横跨所述有效区和隔离区，所述第二鳍部位于所述有效区表面；在所述隔离区上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨所述第一鳍部；在相邻所述第一栅极结构之间形成隔离结构，部分所述隔离结构位于所述第一鳍部内。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括沿第一方向排布的有效区和隔离区，且所述有效区位于所述隔离区两侧并与所述隔离区相邻，所述基底上具有第一鳍部和平行于所述第一鳍部的第二鳍部，且所述第一鳍部和第二鳍部的导电类型不同，所述第一鳍部横跨所述有效区和隔离区，所述第二鳍部位于所述有效区表面； 位于所述隔离区上的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨所述第一鳍部；相邻第一栅极结构之间的第一鳍部内具有第一源漏掺杂区； 位于相邻所述第一栅极结构之间的隔离结构，部分所述隔离结构位于所述第一鳍部内； 其中，通过去除相邻第一栅极结构之间的第一鳍部内的第一源漏掺杂区以及所述第一源漏掺杂区底部的第一鳍部，在所述第一鳍部内形成开口，在所述开口内和相邻第一栅极结构之间形成所述隔离结构。
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