中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司刘清召获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利晶圆键合标识及其形成方法、晶圆键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011539811.0，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权晶圆键合标识及其形成方法、晶圆键合方法是由刘清召设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆键合标识及其形成方法、晶圆键合方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种晶圆键合标识及其形成方法、晶圆键合方法，其中所述晶圆键合标识包括主标识尺，包括若干均匀分布且具有第一间隔尺寸的主刻线；副标识尺，与所述主标识尺的起点对齐，且平行于所述主标识尺分布，包括若干均匀分布且具有第二间隔尺寸的副刻线；所述第一间隔尺寸大于所述第二间隔尺寸，且具有特定差值。本申请技术方案的晶圆键合标识在键合时可以作为键合标识，同时还能提供偏移数据，保证键合精度。
本发明授权晶圆键合标识及其形成方法、晶圆键合方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合标识，其特征在于，待键合晶圆包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆或第二晶圆的键合面包括修边后的凹进部，所述凹进部为自所述待键合晶圆的边缘向所述待键合晶圆的几何中心延伸特定宽度的圆环状区域，所述晶圆键合标识位于所述凹进部相对侧的非键合面，包括： 主标识尺，包括若干均匀分布且具有第一间隔尺寸的主刻线； 副标识尺，与所述主标识尺的起点对齐，且平行于所述主标识尺分布，包括若干均匀分布且具有第二间隔尺寸的副刻线； 所述第一间隔尺寸大于所述第二间隔尺寸，且具有特定差值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区文昌大道18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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