华南理工大学李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种新型FBAR滤波器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112671367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011572935.9，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种新型FBAR滤波器及其制备方法是由李国强;衣新燕;赵利帅;欧阳佩东;刘红斌;张铁林设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型FBAR滤波器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型FBAR滤波器及其制备方法。该方法包括：在制备衬底上刻蚀出凹槽，在凹槽内制备压电材料和底电极，在制备底电极之前首先制备一薄层种子层，制备空气腔支撑层，另取支撑衬底，将该支撑衬底与制备衬底及空气腔支撑层键合在一起，去除制备衬底，露出压电材料，在压电材料上制备顶电极，将底电极引出，得到由多个谐振器级联而成的滤波器。本发明通过先在制备衬底上挖凹槽再生长压电材料的方法，有效避免生长整层压电薄膜导致应力过大产生裂纹的问题，降低了压电薄膜的应力，同时因每个谐振单元的压电薄膜不连续，有效避免了能量的横向传输造成能量损失的问题，同时还可以有效抑制杂波，提高了滤波器的制备良率和性能。
本发明授权一种新型FBAR滤波器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型FBAR滤波器，其特征在于，由n个谐振器级联而成，n为整数且n≥1；所述谐振器包括支撑衬底、空气腔支撑层、底电极、种子层、压电薄膜结构层、顶电极及底电极上引；所述空气腔支撑层有两个，分别层叠在支撑衬底上，底电极分别与这两个空气腔支撑层连接，底电极、空气腔支撑层及支撑衬底围成空腔；所述种子层为溅射的AlN或ZnO材料，厚度为5-100nm，层叠在底电极和空气腔支撑层上；所述压电薄膜结构层、顶电极依次层叠在种子层上；所述底电极上引与底电极连接；所述压电薄膜结构层通过刻蚀制备衬底上的凹槽限域生长形成；所述支撑衬底与空气腔支撑层键合的一面中间刻有空腔，空腔深度为0.5-3微米。
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