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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695096B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011611620.0，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由贺腾飞;冯冰;黄仁瑞;张建栋设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；蚀刻所述半导体衬底以形成凹槽；在所述凹槽的底部和侧壁上沉积屏蔽介质层；在所述凹槽中形成屏蔽栅极层；蚀刻去除所述屏蔽栅极层的一部分，所述屏蔽栅极层的上表面低于所述屏蔽介质层的上表面；蚀刻所述屏蔽介质层，所述屏蔽介质层的上表面低于所述屏蔽栅极层的上表面；利用干法刻蚀对所述屏蔽栅极层进行形貌处理，以使所述屏蔽栅极层的两端不高于所述屏蔽介质层；在所述凹槽内形成栅极介质层；向所述凹槽中填充栅极材料以形成栅极材料层，所述栅极材料层的上表面高于所述半导体衬底的上表面；对所述栅极材料层进行平坦化，以使所述栅极材料层的上表面与所述半导体衬底的上表面平齐。根据本发明提供的制造方法，提高了器件性能。

本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 蚀刻所述半导体衬底以形成凹槽； 在所述凹槽的底部和侧壁上沉积屏蔽介质层； 在所述凹槽中形成屏蔽栅极层； 蚀刻去除所述屏蔽栅极层的一部分，所述屏蔽栅极层的上表面低于所述屏蔽介质层的上表面； 蚀刻所述屏蔽介质层，所述屏蔽介质层的上表面低于所述屏蔽栅极层的上表面； 利用干法刻蚀对所述屏蔽栅极层进行形貌处理，以使所述屏蔽栅极层的两端不高于所述屏蔽介质层； 在所述凹槽内形成栅极介质层； 向所述凹槽中填充栅极材料以形成栅极材料层，所述栅极材料层的上表面高于所述半导体衬底的上表面； 对所述栅极材料层进行平坦化，以使所述栅极材料层的上表面与所述半导体衬底的上表面平齐； 其中，利用干法刻蚀对所述屏蔽栅极层进行形貌处理包括： 通入第一气体组合，以使所述屏蔽栅极层与所述屏蔽介质层相接处的台阶尖角平滑； 通入对所述屏蔽栅极层与所述屏蔽介质层具有高选择比的第二气体组合，以降低所述屏蔽栅极层与所述屏蔽介质层相接处的台阶，使所述屏蔽栅极层的两端与所述屏蔽介质层的两端平齐。

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