台湾积体电路制造股份有限公司游力蓁获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113078152B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110060812.5，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其制造方法是由游力蓁;黄麟淯;庄正吉;林佑明;王志豪设计研发完成，并于2021-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体结构包括：金属栅极结构MG，形成在衬底上方；第一栅极间隔件，形成在MG的第一侧壁上；第二栅极间隔件，形成在MG的与第一侧壁相对的第二侧壁上，其中第二栅极间隔件比第一栅极间隔件短；源极漏极SD接触件MD，与MG相邻，其中MD的侧壁由第二栅极间隔件限定；以及接触部件，配置为将MG电连接至MD。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 金属栅极结构MG，设置在半导体衬底上方； 第一栅极间隔件，设置在所述金属栅极结构的第一侧壁上； 第二栅极间隔件，设置在所述金属栅极结构的与所述第一侧壁相对的第二侧壁上，其中，所述第二栅极间隔件比所述第一栅极间隔件短； 源极漏极SD接触件MD，设置为与所述金属栅极结构相邻，其中，所述源极漏极接触件的侧壁由所述第二栅极间隔件限定；以及 接触部件，配置为将所述金属栅极结构电连接至所述源极漏极接触件； 其中，所述接触部件的底部嵌入所述金属栅极结构的靠近所述源极漏极接触件的侧壁与所述源极漏极接触件的靠近所述金属栅极结构的侧壁之间，且所述接触部件接触所述金属栅极结构和所述源极漏极接触件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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