科磊股份有限公司D·W·普利斯获国家专利权
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龙图腾网获悉科磊股份有限公司申请的专利用于识别半导体装置中的潜在可靠性缺陷的系统及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114930513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180008251.2,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权用于识别半导体装置中的潜在可靠性缺陷的系统及方法是由D·W·普利斯;R·J·拉瑟;C·V·伦诺克斯;R·卡佩尔;O·唐泽拉;K·L·榭曼设计研发完成,并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于识别半导体装置中的潜在可靠性缺陷的系统及方法在说明书摘要公布了:一种用于识别半导体装置中的潜在可靠性缺陷LRD的系统及方法经配置以:用一或多个应力测试工具对从一或多个在线样本分析工具接收的多个晶片中的至少一些者执行一或多个应力测试以确定所述多个晶片的通过集合及所述多个晶片的未通过集合;对所述多个晶片的所述未通过集合中的至少一些晶片执行可靠性回击分析;分析所述可靠性回击分析以确定由一或多个潜在可靠性缺陷LRD引起的一或多个裸片故障链的一或多个地理位置;及对由所述LRD引起的所述一或多个裸片故障链的所述一或多个地理位置执行地理回击分析。
本发明授权用于识别半导体装置中的潜在可靠性缺陷的系统及方法在权利要求书中公布了:1.一种系统,其包括: 控制器,其通信地耦合到一或多个在线样本分析工具及一或多个应力测试工具,所述控制器包含一或多个处理器,所述一或多个处理器经配置以执行程序指令,从而引起所述一或多个处理器: 表征多个晶片中的至少一些者; 基于所述表征,对所述多个晶片执行电晶片分类EWS以确定所述多个晶片的EWS通过集合及所述多个晶片的EWS未通过集合; 用所述一或多个应力测试工具对所述多个晶片中的所述EWS通过集合的至少一些者执行一或多个应力测试,以确定所述多个晶片的通过集合及所述多个晶片的未通过集合,所述多个晶片是从所述一或多个在线样本分析工具接收,所述多个晶片中的每一晶片包含多个层,所述多个层中的每一层包含多个裸片; 对所述多个晶片的所述未通过集合中的至少一些晶片执行可靠性回击分析; 分析所述可靠性回击分析以确定由一或多个潜在可靠性缺陷LRD引起的一或多个裸片故障链的一或多个地理位置;及 对由所述LRD引起的所述一或多个裸片故障链的所述一或多个地理位置执行地理回击分析; 对所述多个晶片的所述EWS未通过集合中的至少一些晶片执行良率回击分析;及 分析所述良率回击分析与所述可靠性回击分析的组合,以确定由所述LRD引起的所述一或多个裸片故障链的所述一或多个地理位置。
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