台湾半导体股份有限公司;哈姆札·依玛兹哈姆札·依玛兹获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾半导体股份有限公司;哈姆札·依玛兹申请的专利用于功率半导体元件的高压终端结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110136705.6，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权用于功率半导体元件的高压终端结构及其制造方法是由哈姆札·依玛兹;阿亚弟·马林纳设计研发完成，并于2021-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于功率半导体元件的高压终端结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于功率半导体元件的高压终端结构及其制造方法。此高压终端结构包含一具有第一导电型的半导体本体，一具有第二导电型的接面终端延伸区，一具有第一导电型的重掺杂通道阻绝区及多个场板。接面终端延伸区是形成于半导体本体，其中，接面终端延伸区是邻接于功率半导体元件的一主动区。重掺杂通道阻绝区是形成于半导体本体，其中，重掺杂通道阻绝区与接面终端延伸区互相分离。多个场板是形成于接面终端延伸区上。本发明并提供一种制造用于功率半导体元件的高压终端结构的方法。
本发明授权用于功率半导体元件的高压终端结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于功率半导体元件的高压终端结构，包含： 具有一第一导电型的一半导体本体； 具有一第二导电型的一接面终端延伸区，形成于所述半导体本体，其中，所述接面终端延伸区是邻接于所述功率半导体元件的一主动区； 具有所述第一导电型的一重掺杂通道阻绝区，形成于所述半导体本体，其中，所述重掺杂通道阻绝区与所述接面终端延伸区互相分离； 具有所述第二导电型的多个可耗尽护环，形成于所述半导体本体，其中，所述多个可耗尽护环是形成于所述接面终端延伸区与所述重掺杂通道阻绝区之间； 具有所述第二导电型的多个轻掺杂区，形成于所述接面终端延伸区的一上部分与至少一所述可耗尽护环内，其中所述多个轻掺杂区与所述接面终端延伸区的底面之间具有一第一距离，所述可耗尽护环内所述轻掺杂区与所述可耗尽护环的底部之间具有一第二距离；以及 多个场板，形成于所述接面终端延伸区上。
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