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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利晶圆键合的方法及晶圆键合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864466B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110148378.6，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权晶圆键合的方法及晶圆键合结构是由槐宝;刘敏;强力;刘括;赵娅俊设计研发完成，并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆键合的方法及晶圆键合结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种晶圆键合的方法及晶圆键合结构，所述晶圆键合的方法包括：提供键合裸晶圆，所述键合裸晶圆包括第一表面；在所述第一表面上形成初始层；在所述初始层和所述键合裸晶圆中形成第一凹槽，作为初始标记，且所述第一凹槽不贯穿所述键合裸晶圆；在所述初始层表面和所述第一凹槽中形成第一氧化层，且所述初始层表面和所述第一凹槽上方的第一氧化层的顶面共面；在所述第一氧化层表面形成键合标记材料层；参考所述初始标记，采用光刻工艺刻蚀所述键合标记材料层，形成第一键合标记，所述第一键合标记覆盖部分所述第一氧化层的表面。本申请技术方案能够提高晶圆堆叠与键合的质量，提升良率。

本发明授权晶圆键合的方法及晶圆键合结构在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合的方法，其特征在于，包括： 提供键合裸晶圆，所述键合裸晶圆包括第一表面； 在所述第一表面上形成初始层； 在所述初始层和所述键合裸晶圆中形成第一凹槽，作为初始标记，且所述第一凹槽不贯穿所述键合裸晶圆； 在所述初始层表面和所述第一凹槽中形成第一氧化层，且所述初始层表面和所述第一凹槽上方的第一氧化层的顶面共面； 在所述第一氧化层表面形成键合标记材料层； 参考所述初始标记，采用光刻工艺刻蚀所述键合标记材料层，形成第一键合标记，所述第一键合标记覆盖部分所述第一氧化层的表面； 提供载体晶圆，所述载体晶圆包括：载体裸晶圆；第四氧化层，位于所述载体裸晶圆的表面；第二氮化层，位于所述第四氧化层的表面；第五氧化层，位于所述第二氮化层的表面，为所述载体晶圆的键合层；第三凹槽，位于所述第五氧化层和所述第二氮化层中，且未贯穿所述第二氮化层； 在所述第一氧化层和所述第一键合标记的表面依次形成第二氧化层和第一氮化层，所述键合裸晶圆还包括与所述第一表面相对的第二表面； 将所述载体晶圆键合在所述第一氮化层的表面； 在所述第二表面一侧减薄所述键合裸晶圆，并在所述第二表面依次形成第三氧化层和第二光刻胶； 在所述第二光刻胶的上方形成第二光罩，所述第二光罩包括第二键合标记图案和第二校准标记，其中所述第二校准标记对准所述初始标记； 曝光显影，在所述第三氧化层中形成第二凹槽，所述第二凹槽作为第二键合标记。

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