株式会社迪思科中村胜获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113270313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110170685.4，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权晶片的加工方法是由中村胜设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片的加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供晶片的加工方法，对包含倒角部的外周剩余区域的内部照射激光束而能够将包含该倒角部的环状的区域容易地从晶片去除。提供晶片的加工方法，包含如下的工序：保护部件配设工序，在晶片的正面上配设保护部件；改质层形成工序，按照将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于外周剩余区域的内部的方式对晶片照射激光束而形成环状的改质层；分离工序，以环状的改质层为起点对晶片进行分割而将外周剩余区域的一部分或全部从晶片分离；以及磨削工序，对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化，在改质层形成工序中，改质层形成为直径从晶片的正面朝向背面变小的圆锥台状。
本发明授权晶片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，该晶片包含在正面上形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域并形成有倒角部的外周剩余区域，其中， 该晶片的加工方法包含如下的工序： 保护部件配设工序，在晶片的正面上配设保护部件； 改质层形成工序，按照将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于外周剩余区域的内部的方式对晶片照射该激光束而形成环状的改质层； 分离工序，以环状的改质层为起点对晶片进行分割而将外周剩余区域的一部分或全部从晶片分离；以及 磨削工序，对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化， 在该改质层形成工序中，改质层形成为直径从晶片的正面朝向背面变小的圆锥台状， 在该改质层形成工序中，改质层不仅形成为直径从晶片的正面朝向背面变小的圆锥台状，还形成为倒圆锥台状。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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