台湾积体电路制造股份有限公司赖启胜获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110185397.6，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及形成半导体器件的方法是由赖启胜;孙维中;陈立庭;高魁佑;林志翰设计研发完成，并于2021-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括多个鳍结构，每个鳍结构均从衬底垂直向上突出，并且在俯视图中均沿第一方向延伸。栅极结构设置在鳍结构上方。在俯视图中，栅极结构沿第二方向延伸。第二方向不同于第一方向。鳍结构具有等于以下各项之和的鳍间距：鳍结构之一在第二方向上的尺寸和相邻的一对鳍结构之间在第二方向上的距离。栅极结构的端部段沿第二方向延伸超出最近的鳍结构的边缘。端部段在俯视图中具有渐缩轮廓，或者在第二方向上是鳍间距的至少4倍长。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
本发明授权半导体器件及形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 多个鳍结构，每个鳍结构均从衬底垂直向上突出，并且在俯视图中均沿第一方向延伸；和 栅极结构，设置在所述鳍结构上方，其中，所述栅极结构在所述俯视图中沿第二方向延伸，所述第二方向不同于所述第一方向； 其中： 所述鳍结构具有等于以下各项之和的鳍间距：所述鳍结构之一在所述第二方向上的尺寸和相邻的一对鳍结构之间在所述第二方向上的距离； 所述栅极结构的端部段沿所述第二方向延伸超出最近的鳍结构的边缘；并且 所述端部段在所述第二方向上是所述鳍间距的至少4倍长， 其中，在远离所述鳍结构的所述第二方向上，所述端部段的第一部分向内减缩，而所述端部段的第二部分向外突出，所述端部段的所述第一部分相较于所述端部段的所述第二部分在所述第二方向上距离所述鳍结构更近，并且所述端部段的所述第一部分和所述第二部分共同限定俯视图中的凹槽，所述端部段的所述第一部分的最大尺寸和所述端部段的所述第二部分的最大尺寸小于所述栅极结构的其余部分的最大尺寸。
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