台湾积体电路制造股份有限公司施惟凯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110197180.7，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权半导体器件及形成半导体器件的方法是由施惟凯;王国梁设计研发完成，并于2021-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本文中公开半导体器件及方法。在一个实例中，所公开的半导体器件包括：绝缘层；第一电极，具有侧壁及与绝缘层接触的底表面；第二电极，具有侧壁及与绝缘层接触的底表面；以及绝缘体，形成在第一电极与第二电极之间。所述绝缘体耦合到第一电极的侧壁且耦合到第二电极的侧壁。
本发明授权半导体器件及形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 绝缘层，包括： 第一氧化物层； 位于所述第一氧化物层上的氮化物层；以及 位于所述氮化物层上的第二氧化物层； 第一电极，具有被所述氮化物层以及所述第二氧化物层部分环绕的侧壁及与所述第一氧化物层接触的底表面， 第二电极，具有被所述氮化物层以及所述第二氧化物层部分环绕的侧壁及与所述第一氧化物层接触的底表面，以及 绝缘体，形成在所述第一电极与所述第二电极之间，且位于所述第二氧化物层上，其中所述绝缘体耦合到所述第一电极的侧壁且耦合到所述第二电极的侧壁，其中： 所述第一电极电连接到逻辑高电压， 所述第二电极电连接到逻辑低电压。
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