中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司王锦喆获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利硅通孔的测试结构及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114999941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110225048.2，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权硅通孔的测试结构及测试方法是由王锦喆设计研发完成，并于2021-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅通孔的测试结构及测试方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种硅通孔的测试结构及测试方法，所述测试结构包括：半导体衬底；至少一种参考测试单元，位于所述半导体衬底中，用于输出测试数据，包括参考测试沟槽电容组以及硅通孔结构，其中所述参考测试沟槽电容组环绕所述硅通孔结构分布；基准测试单元，位于所述半导体衬底中，用于输出基准数据，包括基准测试沟槽电容组，所述基准测试沟槽电容组与所述参考测试沟槽电容组的结构相同。所述测试结构及测试方法可以监测TSV制备中对介电层产生的工艺影响，通过测试衬底和TSV间的电阻、电容和漏电流大小，来推算TSV隔离层的电性厚度及隔绝能力等性能，有助于制程出现问题时的辅助失效分析。
本发明授权硅通孔的测试结构及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种硅通孔的测试结构，其特征在于，包括： 半导体衬底； 至少一种参考测试单元，位于所述半导体衬底中，用于输出测试数据，包括参考测试沟槽电容组以及硅通孔结构，其中所述参考测试沟槽电容组环绕所述硅通孔结构分布，所述参考测试沟槽电容组包括内沟槽测试电容组和外沟槽测试电容组，其中所述内沟槽测试电容组包括若干环绕分布的内沟槽测试电容，所述内沟槽测试电容环绕所述硅通孔结构；所述外沟槽测试电容组包括若干围绕所述内沟槽测试电容组分布的外沟槽测试电容，相邻所述外沟槽测试电容之间不连接，所述内沟槽测试电容和所述外沟槽测试电容对应设置且平行分布； 基准测试单元，位于所述半导体衬底中，用于输出基准数据，包括基准测试沟槽电容组，所述基准测试沟槽电容组与所述参考测试沟槽电容组的结构相同。
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