买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203812B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110226708.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由诹访刚史;末代知子;岩鍜治阳子;系数裕子设计研发完成，并于2021-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层；第一导电型的第三半导体层；第二导电型的第四半导体层；第二导电型的第五半导体层；第一及第二控制电极。第一半导体层设置于第一电极与第二电极之间。第二半导体层设置于第一半导体层与第二电极之间。第三半导体层选择性地设置于第二半导体层与第二电极之间。第四半导体层设置于第一半导体层与第一电极之间。在沿着第一半导体层与第二半导体层之间的边界排列的第一及第二控制电极之间第五半导体层包含：第一部分，设置于第一半导体层中；及第二部分，设置于第一半导体层与第二半导体层之间。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第一电极； 第二电极，与所述第一电极对置； 第一导电型的第一半导体层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间； 第二导电型的第二半导体层，设置于所述第一半导体层与所述第二电极之间，与所述第二电极电连接； 所述第一导电型的第三半导体层，选择性地设置于所述第二半导体层与所述第二电极之间，与所述第二电极电连接； 所述第二导电型的第四半导体层，设置于所述第一半导体层与所述第一电极之间，与所述第一电极电连接； 多个控制电极，分别设置于在从所述第二电极朝向所述第一电极的第一方向上从所述第三半导体层延伸到所述第一半导体层中的沟槽的内部，在沿着所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的边界的第二方向上排列； 第一绝缘膜，设置于所述多个控制电极各自与所述第一半导体层之间、以及所述多个控制电极各自与所述第二半导体层之间；以及 所述第二导电型的第五半导体层，在所述多个控制电极中的相邻的第一控制电极与第二控制电极之间包括第一部分及第二部分，所述第一部分设置于所述第一半导体层中，第二部分设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，且与所述第一部分以及所述第二半导体层电连接，所述第一部分位于所述第三半导体层与所述第四半导体层之间， 所述第五半导体层包含一对所述第一部分， 所述一对第一部分沿所述第二方向排列， 所述一对第一部分中的一个第一部分沿第四方向延伸，所述第四方向是沿着所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的边界、且与所述第二方向交叉的方向， 所述一对第一部分中的另一个第一部分沿第五方向延伸，所述第五方向是沿着所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的边界、且与所述第二方向以及所述第四方向交叉的方向， 所述一对第一部分的间隔在从所述第二部分延伸出的前端比在与所述第二部分连接的部分的间隔窄。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。