台湾积体电路制造股份有限公司萧柏铠获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利沉积和氧化硅内衬以用于形成隔离区域获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110306927.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沉积和氧化硅内衬以用于形成隔离区域是由萧柏铠;陈翰德;黄才育;张惠政;杨育佳设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本沉积和氧化硅内衬以用于形成隔离区域在说明书摘要公布了：本公开涉及沉积和氧化硅内衬以用于形成隔离区域。一种方法包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽和半导体条带。该半导体条带的侧壁暴露于沟槽。该方法还包括沉积延伸到沟槽中的含硅层，其中，该含硅层在半导体条带的侧壁上延伸；用电介质材料填充沟槽，其中，电介质材料位于含硅层的侧壁上；以及氧化含硅层以形成内衬。该内衬包括氧化的硅。该内衬和电介质材料形成隔离区域的一些部分。该隔离区域凹陷，使得所述半导体条带中突出高于隔离区域的顶表面的部分形成半导体鳍。
本发明授权沉积和氧化硅内衬以用于形成隔离区域在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括： 蚀刻半导体衬底以形成沟槽和半导体条带，其中，所述半导体条带的侧壁暴露于所述沟槽； 沉积延伸到所述沟槽中的含硅层，其中，所述含硅层的侧壁部分在所述半导体条带的侧壁上； 用电介质材料填充所述沟槽，其中，所述电介质材料位于所述含硅层的侧壁上； 氧化所述含硅层以形成第一内衬，其中，所述侧壁部分的整个上部被氧化，所述侧壁部分的下部保持为包括硅的半导体层，所述第一内衬包括氧化的硅，并且其中，所述第一内衬和所述电介质材料形成隔离区域的一些部分；以及 使所述隔离区域凹陷，其中，所述半导体条带中突出高于所述隔离区域的顶表面的部分形成半导体鳍。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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