台湾积体电路制造股份有限公司张智强获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有减少的选择性损耗缺陷的源极/漏极形成获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113506773B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110315459.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权具有减少的选择性损耗缺陷的源极/漏极形成是由张智强;游明华;舒丽丽设计研发完成，并于2021-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有减少的选择性损耗缺陷的源极/漏极形成在说明书摘要公布了：本公开涉及具有减少的选择性损耗缺陷的源极漏极形成。一种方法包括：分别在n型鳍式场效应晶体管FinFET区域和p型FinFET区域中形成第一半导体鳍和第二半导体鳍；分别在n型FinFET区域和p型FinFET区域中形成第一电介质鳍和第二电介质鳍；形成第一外延掩模以覆盖所述第二半导体鳍和所述第二电介质鳍；执行第一外延工艺以形成基于所述第一半导体鳍的n型外延区域；去除所述第一外延掩模；形成第二外延掩模以覆盖所述n型外延区域和所述第一电介质鳍；执行第二外延工艺以形成基于所述第二半导体鳍的p型外延区域；以及去除所述第二外延掩模。在去除所述第二外延掩模之后，所述第二外延掩模的第一部分留在所述第一电介质鳍上。
本发明授权具有减少的选择性损耗缺陷的源极/漏极形成在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 在n型鳍式场效应晶体管FinFET区域中形成第一半导体鳍并且在p型FinFET区域中形成第二半导体鳍； 在n型FinFET区域中形成第一电介质鳍并且在p型FinFET区域中形成第二电介质鳍； 形成第一外延掩模以覆盖所述第二半导体鳍和所述第二电介质鳍； 执行第一外延工艺以形成基于所述第一半导体鳍的n型外延区域； 去除所述第一外延掩模； 形成第二外延掩模以覆盖所述n型外延区域和所述第一电介质鳍； 执行第二外延工艺以形成基于所述第二半导体鳍的p型外延区域；以及 去除所述第二外延掩模，其中，在去除所述第二外延掩模之后，所述第二外延掩模的第一部分留在所述第一电介质鳍上。
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