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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利用于低功耗芯片的过温保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112947673B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110332112.7，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权用于低功耗芯片的过温保护电路是由黄祥林;李富华设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于低功耗芯片的过温保护电路在说明书摘要公布了：本发明提供用于低功耗芯片的过温保护电路，包括：第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、NMOS管NM1、NM2、三极管Q1、NM3、运算放大器AMP、NMOS管NM4、NM5、NM6、NM7、反相器INV1和反相器INV2，运算放大器AMP的同相端与NMOS管NM1的漏极连接反相端与NM6的源极连接，运算放大器AMP的同相端的电压为温度负相关的电压，反相端的电压为温度正相关的电压，输出端与反相器INV1连接，反相器INV1与反相器INV2串联，反相器INV1的输出信号VC_N到NMOS管NM2的栅极，反相器INV2的输出信号VC_P到NMOS管NM3的栅极，通过运算放大器AMP的同相端与反相端的电压大小进行比较，致使运算放大器AMP的输出端输出高电平或者低电平，从而改变NMOS管NM2与NMOS管NM3的通断状态，控制芯片正常工作或者芯片受保护被关闭。

本发明授权用于低功耗芯片的过温保护电路在权利要求书中公布了：1.用于低功耗芯片的过温保护电路，其特征在于，包括：第一电流镜、第二电流镜、NMOS管NM1、NMOS管NM2、三极管Q1、NMOS管NM3、运算放大器AMP、NMOS管NM4、NMOS管NM5、NMOS管NM6、NMOS管NM7、反相器INV1和反相器INV2，PMOS管PM1、PMOS管PM3与PMOS管PM5组成共源共栅结构的第一电流镜，PMOS管PM2、PMOS管PM4与PMOS管PM6组成共源共栅结构的第二电流镜，所述第一电流镜通过PMOS管PM1的源极与电源连接，所述第一电流镜通过PMOS管PM5的漏极与PMOS管PM6的源极连接，PMOS管PM6的漏极连接NMOS管NM6的漏极，所述NMOS管NM6的源极与所述NMOS管NM7的漏极连接，所述NMOS管NM6的栅极与NMOS管NM7的栅极连接后与PMOS管PM6的漏极连接；NMOS管NM2和NMOS管NM3是作为开关管使用的NMOS管，NMOS管NM2的控制信号为VC_N，NMOS管NM3的控制信号为VC_P，NMOS管NM1接成二极管结构，三极管Q1接成二极管结构，所述第二电流镜通过PMOS管PM2的漏极连接到NMOS管NM1的漏极，所述NMOS管NM1的源极连接NMOS管NM2的漏极，所述NMOS管NM1的栅极连接PMOS管PM2的漏极，所述NMOS管NM2的源极接地；三极管Q1与NMOS管NM3串联，三极管Q1的发射极与NMOS管NM1的漏极连接，三极管Q1的集电极与NMOS管NM3的漏极连接，三极管Q1的基极与NMOS管NM3的漏极连接，NMOS管NM3的源极接地；所述PMOS管PM4的源极与PMOS管PM3的漏极连接，所述PMOS管PM4的漏极与NMOS管NM4的漏极连接，所述NMOS管NM4的源极与NMOS管NM5的漏极连接，所述NMOS管NM5的源极与NMOS管NM3的源极连接，所述NMOS管NM7的源极与NMOS管NM4的源极连接，所述NMOS管NM4的栅极与NMOS管NM5的栅极连接后与PMOS管PM4的漏极连接，运算放大器AMP的同相端与NMOS管NM1的漏极连接，运算放大器AMP的反相端与NMOS管NM6的源极连接，运算放大器AMP的同相端的电压为温度负相关的电压，运算放大器AMP的反相端的电压为温度正相关的电压，运算放大器AMP的输出端与反相器INV1连接，反相器INV1与反相器INV2串联，反相器INV1的输出信号VC_N到NMOS管NM2的栅极，反相器INV2的输出信号VC_P到NMOS管NM3的栅极，通过运算放大器AMP的同相端与反相端的电压大小进行比较，致使运算放大器AMP的输出端输出高电平或者低电平，从而改变NMOS管NM2与NMOS管NM3的通断状态，控制芯片正常工作或者芯片受保护被关闭，所有MOS管均为增强型MOS管；NMOS管NM1、NMOS管NM4、NMOS管NM5、NMOS管NM6和NMOS管NM7工作在亚阈值区；所述PMOS管PM1的栅极和所述PMOS管PM2的栅极分别接在了VB1、VB2的电压偏置上，为各支路提供电流偏置;PMOS管PM3与PMOS管PM5的宽长比的比值为1：M，M＞0；PMOS管PM4与PMOS管PM6的宽长比的比值为1：M，M＞0；NMOS管NM4与NMOS管NM5的宽长比的比值为1：K1，NMOS管NM6与NMOS管NM7的宽长比的比值为1：K2，反相器INV1的输出信号VC_N与反相器INV2的输出信号VC_P，分别改变NMOS管NM2与NMOS管NM3的通断情况产生迟滞，同时输入到后端的数字电路中提供过温保护动作；当温度未超过过温点时，比较运算放大器AMP同相端的电压大于反相端的电压，VNTATVPTAT,比较运算放大器AMP的输出为高电平，反相器INV1的输出信号VC_N为低电平，反相器INV2的输出信号VC_P为高电平，NMOS管NM2截止、NMOS管NM1所在之路断开，NMOS管NM3导通、三极管Q1接入电路，芯片正常工作；当温度上升超过过温点时，比较运算放大器AMP同相端的电压小于反相端的电压，VNTAT＜VPTAT,比较运算放大器AMP的输出从高电平跳变为低电平，反相器INV1的输出信号VC_N跳变为高电平，反相器INV2的输出信号VC_P跳变为低电平，NMOS管NM2导通、NMOS管NM1接入电路，NMOS管NM3截止、三极管Q1所在支路断路，以此来指示系统过温，并触发保护动作，芯片受保护被关闭；当温度下降到低于过温点时，信号VC_N为低电平,信号VC_P为高电平,芯片重新正常工作。

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